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描述

意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效

綠色照明是美國國家環(huán)保局于上個世紀90年代初提出的概念。完整的綠色照明內涵包含高效節(jié)能、環(huán)保、安全、舒適4項指標,不可或缺。高效節(jié)能意味著以消耗較少的電能獲得足夠的照明,從而明顯減少電廠大氣污染物的排放,達到環(huán)保的目的。安全、舒適指的是光照清晰、柔和及不產(chǎn)生紫外線、眩光等有害光照,不產(chǎn)生光污染。中文名 綠色照明 提出方 美國國家環(huán)保局 提出時間 上個世紀90年代初

2022 年5 月18日,中國– 意法半導體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數(shù)據(jù)中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關電源(SMPS)。

首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低,可以極大程度提高功率密度,并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類領先水平,STP65N045M9 為45mΩ,STP60N043DM9 為43mΩ。由于柵極電荷(Qg)非常低,在400V 漏極電壓時通常為80nC,兩款器件都具有目前市場上一流的RDS(on)max x Qg品質因數(shù)(FoM)。

STP65N045M9 的柵極閾壓(VGS(th))典型值為3.7V,STP60N043DM9 的典型值為4.0V,與上一代的MDmesh M5 和M6/DM6 相比,可極大程度地降低通斷開關損耗。MDmesh M9 和DM9 系列的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr)也都非常低,這有助于進一步提高能效和開關性能。

意法半導體最新的高壓MDmesh 技術的另一個特點是增加了一道鉑擴散工藝,確保本征體二極管開關速度快。該二極管恢復斜率(dv/dt) 峰值高于早期工藝。MDmesh DM9全系產(chǎn)品具有非常高的魯棒性,在400V電壓時可耐受高達120V/ns 的dv/dt斜率。

意法半導體的新MDmesh M9 和DM9 產(chǎn)品STP65N045M9和STP60N043DM9 均采用TO-220 功率封裝,現(xiàn)已投產(chǎn),2022 年第二季度末代理商開始鋪貨銷售。2022 年底前還將增加標準的貼裝和通孔封裝。

更多產(chǎn)品詳情訪問www.st.com/mdmesh-m9and www.st.com/mdmesh-dm9

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